W pomieszczeniu czystym klasy 100 znajduje się urządzenie do litografii elektronowej (Raith eLine+). Układ przede wszystkim składa się z działa elektronowego, detektora elektronów wtórnych, detektora in-lens, interferometru laserowego, elektroniki sterującej oraz układu pomp do utrzymania odpowiedniej próżni w urządzeniu. Układ umożliwia naświetlanie elementów o  rozmiarach od 10 nm do kilkaset µm na powierzchni próbki o  rozmiarach do 4 cali.

Dodatkowo w  pomieszczeniu znajduje się stół procesowy (firmy Arias) do nakładania, wygrzewania i usuwania rezystów. W stole mamy umiejscowioną płytę grzewczą, myjkę ultradźwiękowa, wirówkę, pistolet z azotem do zdmuchiwania pyłków z próbek i pistolet z wodą destylowaną do przemywania próbek. Do stołu są doprowadzone niezbędne instalacje takie jak wodna, gazowa i odciąg umiejscowiony w blacie stołu, który na bieżąco odprowadza opary substancji chemicznych na zewnątrz.

Litografia elektronowa jest wykonywana przy użyciu rezystów pozytywowych serii AR-P 617, natomiast litografia negatywowa jest oparta o rezysty serii AR-N 7520.

Również w tym samym pomieszczeniu zlokalizowany jest optyczny mikroskop polaryzacyjny (Nikon).

Parametry pracy Raith eLine+

Działo elektronowe

źródłem elektronów jest emiter ZrO/W

możliwość pracy przy napięciach to 20 V do 30 kV

prąd wiązki 5 pA – 20 nA

rozmiar wiązki – 2 nm przy 20 kV i 3 mm WD

gęstość prądu wiązki > 7500 A/cm2 przy 20 kV

możliwość powiększenia obrazu od 20 do 1000000 w zależności od napięcia i WD

Interferometr laserowy

możliwość przemieszczania stolika z próbką w osi x i y wynosi 100 mm,

w osi z 30 mm, z dokładnością do 1 nm

ciśnienie w komorze głównej < 2 x 10-6 mbar

ciśnienie w komorze działa elektronowego < 10-8 mbar

Parametry pracy komponentów zawartych w stole procesowym

Płyta grzewcza

zakres temperatur grzania od 20°C do 300ºC z dokładnością do 0.1°C

maksymalny rozmiar próbek do wygrzewania to wafer 8'' lub próbka kwadratowa 6 x 6''

Myjka ultradźwiękowa

rozmiar 205 x 165 x 150 mm

częstotliwości 45 kHz

moc 100 Watt

możliwość grzania do 80ºC

Wirówka do nakładania rezystów

maksymalny rozmiar próbek to wafer 6'' lub próbka kwadratowa 4 x 4'', prędkość obrotu 1-10000 rpm

możliwość wpisania na stałe 30 programów rozprowadzania rezystów

W  pomieszczeniu czystym klasy 1000 znajduje się urządzenie do trawienia jonowego i nanoszenia cienkich warstw Microsystems IonSys 500. System jest wyposażony w działo jonowe wraz z detektorem SIMS, który umożliwia trawienie cienkich warstw z  nanometrową precyzją oraz w magnetronowe źródło rozpylające. W pomieszczeniu tym znajduje się również profilometr kontaktowy (Bruker Dektak) służący do pomiaru grubości i szorstkości wytworzonych nanostruktur i zdeponowanych warstw.

Parametry pracy Microsystems IonSys 500

Działo jonowe

typ: tamiris 120-f

plazmowym generatorem RF

energia jonów argonowych od 100 do 2000 eV,

gęstość strumienia jonów ≤ 1 mA/cm2

Magnetronowe źródło rozpylające

nanoszenia warstw metalicznych (w szczególności Al, Au, Cr)

nanoszenie warstw dielektrycznych (Al2O3)

Maksymalny rozmiar próbki do trawienia i nanoszenia warstw to wafer o średnicy 6, lub próbka kwadratowa 4 cale na 4 cale

Prędkość obrotu stolika z próbką 0-20 rpm

Możliwość pochylenia próbki wraz ze stolikiem od poziomu pod kątem od 0º do 90°

Próżnia w komorze załadowczej – 2.5 x 10-3 mbar

Próżnia w komorze głównej - 1 x 10-7 mbar

Regulowany, stały przepływ gazów (Ar, N2, O2)

Program naukowy o Clean Room w ACMiN

Osoba kontaktowa:

Prof. dr hab. inż. Marek Przybylski

    
Raith eLine+
    
Raith eLine+
    
Stół procesowy