W ostatnim wydaniu Journal of Applied Physics (Volume 125, Issue 22) opublikowana została praca pt. Multi-bit MRAM storage cells utilizing serially connected perpendicular magnetic tunnel junctions autorstwa: Piotra Rzeszuta, Witolda Skowrońskiego, Sławomira Ziętka, Jerzego Wrony (Singulus AG) i Tomasza Stobieckiego (https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5097748). Proces nanofabrykacji urządzenia został przeprowadzony w ACMiN.
W pracy tej autorzy opisują nowe rozwiązania wykorzystania magnetycznych złącz tunelowych (MTJ – Magnetic Tunnel Junction) w pamięciach STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory). Pamięci te mogą być stosowane jako nieulotne pamięci RAM, łącząc jednocześnie stosunkowo duże prędkości zapisu i odczytu, długi okres przechowywania danych oraz praktycznie nieograniczoną ilość cykli kasowania i odporność na kosmiczne promieniowanie jonizujące. Współcześnie budowane tego typu układy posiadają jednak stosunkowo ograniczoną gęstość zapisu, wynikającą z konieczności stosowania tranzystorów sterujących poszczególnymi bitami dużo większych niż sam element pamiętający czyli magnetyczne złącze tunelowe. Ta właśnie kwestia została przedyskutowana w publikacji, gdzie zaproponowano budowę wielostanowych komórek złożonych z szeregowo połączonych złącz MTJ. Dzięki takiemu rozwiązaniu osiągnąć można sterowanie elementu pamiętającego więcej danych, przy jednoczesnym zachowaniu rozmiaru tranzystora sterującego. W artykule przedstawiono wyniki eksperymentalne potwierdzające działanie 3-bitowych komórek pamiętających.
Niniejsza praca naukowa została wyróżniona przez redakcję czasopisma, poprzez umieszczenie jej w wyborze 5 najciekawszych artykułów wydania (Featured), a także przez Wydawcę (AIP Publishing), poprzez przygotowanie wzmianki wyróżniającej to badanie naukowe na stronie głównej czasopisma i w specjalnym zbiorze artykułów Scilight (https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5113725).
Publikacja powstała na podstawie wyników uzyskanych w ramach pracy magisterskiej „MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS WITH PERPENDICULAR ANISOTROPY FOR USE IN SERIAL AND PARALLEL CONNECTIONS OF ELEMENTARY STT-MRAM CELLS” mgr inż. Piotra Rzeszuta, wykonanej pod kierunkiem dr inż. Witolda Skowrońskiego, obronionej w 2018 roku.
Autorzy publikacji: mgr inż. Piotr Rzeszut obecnie student I roku Studiów Doktoranckich na wydziale Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji, dr inż. Witold Skowroński i dr inż. Sławomir Ziętek, adiunkci w Katedrze Elektroniki AGH, dr. Jerzy Wrona (obecnie R&D Project Manager, Singulus AG Germany, wcześniej adiunkt w Katedrze Elektroniki AGH), prof. dr hab. Tomasz Stobiecki, kierownik zespołu naukowego Magnetycznych Układów Wielowarstwowych i Elektroniki Spinowej, http://www.maglay.agh.edu.pl/, promotor doktoratu Piotra Rzeszuta.